Laboratório Virtual: Características Estáticas e Polarização do MOSFET

Simulação eletrostática em tempo real: Curvas de Dreno (ID × VDS), Curva de Transferência (ID × VGS), Reta de Carga e Ponto Q.

⚙️ Polarização e Parâmetros
Tensão Porta-Fonte (V_GS): 3.00 V
Tensão de Alimentação (V_DD): 8.0 V
Resistor de Dreno (R_D): 600 Ω
Tensão de Limiar (V_th): 1.00 V
Modulação de Canal (λ): 0.04 V⁻¹
⚡ REGIÃO DE SATURAÇÃO (ATIVA): Canal estrangulado. Ideal para amplificação linear de pequenos sinais!
Ponto V_DSQ 4.12 V
Ponto I_DQ 6.47 mA
Overdrive (V_ov) 2.00 V
Transcondutância (g_m) 3.20 mA/V
Curvas de Saída e Transferência Sincronizadas Ponto Quiescente Q (vermelho)
Condição de Saturação: O MOSFET opera na saturação quando V_GS ≥ V_th e V_DS ≥ V_GS - V_th (V_ov). Nessa região, a corrente de dreno depende quase exclusivamente da tensão de porta V_GS, comportando-se como uma fonte de corrente controlada por tensão ideal para estágios amplificadores classe A em Fonte Comum.