⚙️ Classe de Operação e Dimensionamento
Topologia do Estágio de Saída:
Alimentação Simétrica (±V_CC):
±15.0 V
±5 V
±15 V (Padrão)
±35 V (Alta Potência)
Amplitude de Pico na Saída (V_p):
9.55 V (0.637 V_CC)
Resistência de Carga (R_L):
8.0 Ω
4 Ω (Subwoofer)
8 Ω (Alto-Falante)
32 Ω (Fone)
Resistência Térmica Dissipador (θ_SA):
4.0 °C/W
0.5 °C/W (Ventilado)
θ_JC=1.5, θ_CS=0.5 °C/W
15 °C/W (Pequeno)
🔥 COLAPSO TÉRMICO (T_J > 150 °C)! Junção de silício acima do limite seguro! Reduza θ_SA (aumente o dissipador) ou V_CC.
⚠️ DISTORÇÃO DE CROSSOVER ATIVA: Zona morta de ±0,7 V corta Q_N e Q_P na passagem por zero (alta THD em baixos sinais).
✅ OPERAÇÃO LINEAR SEGURA: Distorção de cruzamento eliminada e temperatura de junção T_J dentro da SOA térmica.
Potência na Carga (P_L)
5.70 W
Potência Fontes (P_SS)
11.40 W
Dissipação / Transistor (P_D,Q)
2.85 W (Par: 5.70 W)
Eficiência (η = P_L/P_SS)
50.0%
Distorção Crossover
Eliminada (V_BB=1.4V)
Temp. de Junção (T_J)
42.1 °C (Máx 150°C)
Oscilograma Temporal, Curva de Dissipação Térmica e Perfil de Temperatura (T_A → T_J)
━━ Saída vo(t)
━━ iC,N(t)
━━ iC,P(t)
━━ PD,Q(Vp)